인텔, 무어의 법칙 가속화 위한 新계획 발표
인텔, 무어의 법칙 가속화 위한 新계획 발표
  • 김정은 기자
  • 승인 2021.12.14 19:09
  • 댓글 0
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ⓒ 데일리포스트=이미지 제공/unsplash

[데일리포스트=김정은 기자] 무어의 법칙은 인텔 창립자 중 한 명인 고든 무어(Gordon Moore)가 제창한 마이크로칩 밀도가 18~24개월마다 2배로 늘어난다는 법칙이다.

그간 무어의 법칙에 따라 진화를 이어온 반도체지만, 최근 무어의 법칙이 한계에 달했다는 지적이 나오고 있다. 

인텔이 무어의 법칙에 따른 반도체 진화를 지속적으로 실현하기 위해, IEEE가 주체한 'IEEE 국제전자소자학회(IEDM) 2021'에서 최신 기술을 발표했다. 

인텔은 향후 10년 동안 컴퓨팅의 발전 및 가속화에 필수적인 핵심 패키징과 트랜지스터, 양자 물리학 분야의 혁신 기반 등 주요 분야의 혁신 내용을 공개했다.

우선 인텔 연구팀은 하이브리드 접합에서 설계·절차·조립에 대한 솔루션을 개선하고 패키징에서 10배 이상의 상호연결 집적도 개선을 목표로 하고 있다고 밝혔다. 3D 스태킹 상호 접속 밀도 향상을 위해 차세대 3D 패키징 기술 'Foveros Direct'도 공개했다.  

인텔은 에코시스템이 첨단 패키징의 이점을 누릴 수 있도록 하이브리드 본딩 칩렛 에코시스템을 실현하고 새로운 업계 표준과 테스트 절차의 수립도 추진할 방침이다. 

이 외에 30~50%의 트랜지스터 면적 개선, 새로운 전력, 메모리 기술 혁신 관련 내용도 발표했다. 앞으로 ▲효율적인 전력 기술을 위한 300mm 웨이퍼에 실리콘 기반 금속산화막반도체(CMOS)를 접목한 질화갈륨(GaN) 전원 스위치 ▲ 컴퓨팅 애플리케이션에 제공하기 위해 차세대 임베디드 디램(DRAM) 기술에 새로운 강유전체를 사용한 저지연 읽기 및 쓰기 기능의 실현 등을 목표로 한다. 

ⓒ 데일리포스트=이미지 제공/인텔

인텔 관계자는 "실리콘 트랜지스터 기반 양자 컴퓨팅으로 우수한 성능은 물론, 신규 실온 소자를 이용한 대규모 전력 효율적인 컴퓨팅을 제공할 것이다. 향후에는 기존 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)를 대체할 수 있을 것으로 전망하고 있다"고 언급했다. 

한편, 반도체 제조에 관한 다양한 계획을 발표한 인텔은 말레이시아에서 반도체 패키징 신공장 건설을 위해 300억 링깃(약 8조 3835억원)을 투자할 계획이라고 밝혔다. 


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